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美国政府21日公布了放宽后的“护栏（安全装置）”条款的详细规定，韩国半导体企业表示“至少避免了最糟糕的情况”。随着美国开始重组本国主导的半导体供应链，如果要在人工费、建设费等都很昂贵的美国进行投资，必须领取半导体补贴，如果领取该项补贴，10年里会被禁止在作为核心市场的中国境内投资工厂，因此一直以来韩国企业都战战兢兢。据悉，截至目前，三星电子和SK海力士分别在中国投资了33万亿韩元（人民币约1742.4亿元）和35万亿韩元（人民币约1848亿元）以上。尤其是只能在“技术的美国”和“市场的中国”之间看眼色行事，有评价称这次发布的详细规定，一定程度上扩大了韩国半导体企业的运作幅度。半导体业界相关人士说：“通过两国政府的协商，不确定性正在逐渐消除，这是重要成果。”

比预计更为宽松的限制规定

中国是韩国半导体企业的核心生产基地。目前，三星电子40%的NAND闪存在中国生产，SK海力士则有40%的DRAM和20%的NAND是在中国生产的。三星电子在中国西安生产128层NAND闪存，SK海力士在中国无锡和大连分别生产10纳米中后期的DRAM、96层和144层NAND闪存。由于担心技术泄露等原因，在中国生产的是技术水平低于业界最尖端的230层NAND闪存和10纳米初期DRAM的产品。

根据美国政府的“护栏”规定，韩国企业在中国生产的产品虽然不是最尖端的，但大部分都高于旧（legacy）工艺，因此主要适用“10年内扩张5%”的规定。这意味着以晶圆（作为半导体原材料的圆片）为标准，三星电子和SK海力士今后10年里可以在5%以下的范围里对中国工厂的生产能力进行扩大。如果超过5%，投资额将被限制在10万美元以内。还有分析认为，考虑到随着尖端微细工艺的发展，每块晶片可获得的半导体数量大幅增加，生产效率得到急剧提升，“5%的限制”其实意义不大。业界相关人士说：“如果实现技术升级，每块晶片的产量就会增加，因此实际上半导体企业会拥有更大的余地。就结论而言，估计对韩国企业的影响不会太大。”

美国政府并未单独规定限制NAND闪存层数的条款。NAND闪存芯片就像公寓，数据存储空间垂直堆叠得越高，性能就越好。据悉，围绕去年下达了1年延期措施的中国境内三星电子和SK海力士工厂半导体设备出口管制的问题，美国政府还会和韩国政府协商追加延长期限。

“松了口气，需要进一步观察今后的情况”

受存储芯片寒流的影响，仅第一季度就产生了3万亿-4万亿韩元（人民币约158亿-211亿元）的亏损，韩国半导体业界有种度过了难关的反应。因为如果无法在中国境内进行设备投资，就不得不承担在今后数年内追加建设大规模生产设施以替代中国产量的负担。尤其是SK海力士因为从英特尔收购的中国大连NAND闪存工厂而陷入了更大的危机。去年第一笔贷款支付了70亿美元（约9.1万亿韩元），2025年则需要支付20亿美元的余款，但如果工厂不能及时升级，损失将像滚雪球一样越来越大。半导体业界相关人士表示：“虽然护栏条款中出现了对韩国企业友好的内容，但投资美国半导体工厂的人工费、建设费等依然高于在韩国投资，而且存在退还超额利润、公开经营机密等毒药条款，因此需要持续观察两国之间的协商。”