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三星电子在世界上最早成功实现了18纳米DRAM存储器半导体量产。2014年在世界上首家实现20纳米DRAM量产的三星电子，此次成功实现了被认为是半导体微型工程极限的10纳米级DRAM量产，为拉开和竞争对手的差距奠定了基础。

三星电子5日宣布：“2月起，我们在世界上最早实现了18纳米（1纳米等于10亿分之一米）DRAM量产。”“18纳米DRAM和之前的20纳米级产品相比，生产性高出30%。”三星有关人士说：“18纳米DRAM比20纳米DRAM的运算速度快30%，耗电量低20%以上。”

三星电子已将18纳米DRAM新技术运用于生产。代表性技术是在硅基上排列比之前密集4倍的回路。由此，向基底发射光束刻回路的露光工程效率被提升至之前的4倍。