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30日，三星电子宣布，全球首批基于3纳米工艺的产品实现初次量产。3纳米是半导体制造工程中最先进的技术。尤其是采用下一代GAA（Gate-all-around）新技术的3纳米工艺全球只有三星能够实现。这或将成为逆袭全球代工排名第一的台湾TSMC的主要契机。

据悉，三星电子已经敲定了多家客户。三星介绍称：“进行了3纳米工艺的高性能计算用系统半导体初次生产，并计划扩大至智能手机用综合芯片等。”

相较于5纳米工艺，此次的3纳米工艺可节约45%电力，性能提高了23%，面积缩小了16%。“纳米”是不足头发丝粗细十万分之一的超微小单位，代表半导体电路的线宽。线宽越小，在有限的空间内就可以绘制更多的电路，晶圆（半导体圆板）内的半导体数量也会随之增加。由此能够提高生产效率和收益性。

三星作为3纳米工艺量产的“后来者”，能够在技术上占据优势，这一点意义重大。今年第一季度，代工占有率（以销售额为标）TSMC为53.6%，三星电子为16.3%，两者差异巨大（37.3%）。目前，TSMC的尖端工艺是4纳米，3纳米计划下半年投入量产。新技术GAA工艺计划应用于2纳米。



但问题的关键是投入产出率（合格品所占比例）。虽然三星率先宣布实现3纳米量产，但如果不能稳定和按时地供货，便无法获得客户的信任。尤其在此前的4纳米工艺上，三星电子的投入产出率被指不及TSMC，三星为挽回这一局面打出了“提前引进3纳米”这张牌。也就是说，能否在短期内将投入产出率提上来将成为竞争的关键。三星电子有关人士表示：“投入产出率正在迅速升高。”