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世界排名第一的芯片企业三星电子年内将实现236层NAND闪存芯片的量产化。继上月美国美光公司宣布232层芯片量产后，本月以来，SK海力士（开发238层芯片）、中国YMTC（开发232层芯片）等后起之秀接连展示了“230层芯片的技术实力”，对三星展开追击，而业界老大三星也正式着手采取应对。

16日芯片业界透露，三星电子完成了作为第8代V NAND产品的236层芯片的开发，预计年内将宣布批量生产。以量产为标准来看，这是业界最高层数的芯片产品。熟悉三星情况的财界相关人士说：“三星虽然已经具备了200层以上的堆叠技术，却在NAND市场上为了确保高收率，意志采取实现盈利最大化的战略。和炫耀最高层数技术相比，三星更愿意作为市场领头羊，在市场进入状态的时候打造潮流。”

NAND闪存是智能手机、PC、服务器（大容量电脑）等电子设备上搭载的数据储存芯片。为了实现大容量，把数据储存空间像大楼一样堆叠起来，这成为评价技术能力的一个尺度。三星2013年在世界上率先推出了采用这种三维（3D）垂直结构的V NAND产品。目前掌管三星芯片也许的庆桂显代表是“开发V NAND”的主力之一。

连续20年在NAND市场占据榜首的三星去年开始接连将176层、230层以上等“首家量产”的头衔拱手想让给了美国美光。因此，有人担心三星和后起之秀之间的技术差距在缩小，但三星一直以来坚持的立场是“和单纯的堆叠相比，更重要的是在顾客需要的时候推出最高效的产品”。芯片业界认为，三星电子会和现有产品一同推出236层芯片的新产品，在企业用服务器市场等领域进一步提升收益性。KB证券分析师金东源（音）说：“就算下半年NAND降价超过20%，三星电子的NAND部门也会凭借改善成本结构的效果保持20%以上的营业利润率。预计和四季度计划扭亏为盈的竞争对手相比，会确保差异化的收益性。”